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SI7852ADP-T1-E3中文资料

  • 大小：318KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：17 毫欧 @ 10A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1825pF @ 40V
  • 功率 - 最大：62.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：Q5367467SI7852ADP-T1-E3-NDSI7852ADP-T1-E3TRT1229935

SI7852ADP-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-29 22:01:44
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SN75189ANSI3586DV-T1-GE3SMS05T1GSTPS20L60CTSL03-GS08SMCJ5.0ASTM8S105K6T6CSN74LVC16373DGGRSI4936DY-T1-E3SI3019-KT

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